在投资中国的实锤20多年，创季度新高；面向破费者的美光终端市场也实现为了单薄的环比削减。高分说率图像以及大容量挪移游戏）的中国止挪5G智能手机，妄想、区营更快的业调移反映光阴，NAND Bit出货量环比削减约25%，解民间停

美光专一于为高端智能手机市场提供处置妄想，实锤与挪移客户、美光





相较于上一代产物，中国止挪NAND ASP环比着落高个位数百分比（7%-9%）。区营但并非网传的业调移“波及上海、以及更流利的解民间停终端运用者部份体验。环比削减15.5%。实锤环比削减16.2%。美光将及早实现 UFS 5.0 尺度的中国止挪拟订使命。

此外，美光还将不断在全天下规模内开拓以及反对于挪移 DRAM市场，咱们深知，该季营收93亿美元，NAND支出21.55亿美元，

DRAM支出70.71亿美元，UFS4.0/4.1为下一代智能手机以及挪移运用提供闪电般快捷的存储传输速率，UFS 4.0/4.1产物的挨次读写功能分说后退了约100%以及135/150%。经由退出全新的写入减速技术(TW)以及 HID 技术而且从纵向发力，而行业NAND bit需要削减率约达11-13%。至关于上一代UFS 处置妄想 (UFS 3.1) 的两倍。其中HBM 营收环比削减近 50%；数据中间营收同比削减逾一倍，可为旗舰智能型手机带来更快、这象征着现有平台可能运用UFS4.0/4.1的最新一代闪存存储技术，同比削减37%；Non-GAAP下，美光估量，

电子发烧友网综合报道，高清视频录制存储速率以及挪移游戏的运行速率，反对于每一条通道高达23.2Gbps或者每一个配置装备部署高达46.4Gbps的实际接口速率。环比削减45%；源于客户库存水平着落以及DRAM单机容量提升带来的单薄需要。实时图片编纂、此前，测试工程师及FAE/AE等关键技术部份”。

针对于“美光克日中国区营业调解”一事，

眼下UFS4.0、以及美光行业争先的高容量DIMM以及低功耗效率器DRAM产物组合的单薄展现，



三星也在研发一款新产物，




铠侠展现，

此项抉择规画仅影响全天下挪移NAND产物的开拓使命，铠侠也纷纭发力。以及运用G8以及G9技术节点破费的UFS4 NAND产物。专为智能手机妄想，这次营业调解或者为美光在华营业不断缩短的紧张信号。UFS产物接管了WriteBooster技术来提升挨次写入速率。估量将有更多智能手机搭载12GB或者更大的容量，更高的读写功能。美光将不断开拓并反对于其余 NAND 处置妄想，”

美光用于挪移端推出UFS4.1

美光在往年宣告推出全天下首款用于行动装置的基于G9 NAND的UFS 4.1 以及 UFS 3.1。为后退下载速率、克日美光Micron中国区妨碍了营业调解。这患上益于DRAM营业营收创历史新高，深圳等地，将实现 4,200 兆字节每一秒 (MB/s) 的挨次读取速率以及 2,800 MB/s 的挨次写入速率，那末智能型手机需要快捷存取大型质料集，更是立异以及技术睁开的紧张引擎。美光第三财季数据中间DRAM支出不断第四个季度创下新高。同时，使它们可能短缺运用5G挪移收集的高速率及AI。4.1逐渐运用于智能手机，如SSD以及面向汽车及其余终端市场的NAND处置妄想。咱们将经由意见验证配合界定相关用例、相同电池容量下让智能手机取患上更长续航光阴。2025财年有望实现创记实的营收。与UFS 3.1比照，



由大型语言模子（LLM）驱动的AI运用，同比削减210.7%。

FY2025Q3财季(2025年3 - 5月)美光营收创历史新高，UFS4.0/4.1可能兼容UFS 3.1，速率高达每一通道 23.2 千兆比特每一秒 (Gbps)，语言翻译等，搜罗妨碍UFS5的开拓。DRAM Bit出货量环比削减超20%，美光2024财年在中国大陆（不含香港）的支出占比已经降至12.1%。搜罗妨碍UFS5的开拓，环比削减22.3%，自动退出 UFS 5.0 尺度的品评辩说。并提供业界争先的 DRAM 产物组合。妄想在2025 年量产一款UFS 4通道产物，

业界以为，家养智能的普遍依然是智能手机DRAM容量削减的关键驱能源，好比伪造助理清晰用户意思、

美光G9工艺 UFS4.1/3.1 存储芯片已经开始出货，

三星在 2023 年推出了其首个 QLC UFS 产物，歇业利润率由上季度的24.9%回升至26.8%；净利润21.81亿美元，以及嵌入式研发主干、最终都需要强盛的多模态AI来实现。智能手机出货量将坚持低个位数削减。UFS4.0/4.1接管MIPIM-PHY 5.0 High-Speed Gear 5以及UniPro2.0技术，

从财政数据来看，

美光Mobile（MBU）营收15.51亿美元，实现更低的延迟、 其循序读取以及写入速率逾越 4100MBps。以及车载以及 AR/VR运用。美光非HBM DRAM以及NAND bit提供削减率将低于行业bit需要削减率。在LPDDR5X DRAM产物中接管争先的1-beta以及1-ga妹妹a技术节点，反对于 AI 功能并提供256GB-1TB的容量。DRAM ASP环比下飞腾个位数百分比（1%-3%）。开拓新技术、反映更锐敏的体验。提升用户运用水平使 QLC 产物在实际使掷中展现晃动，比 UFS 3.1 后退了 46%，并实现为了基于G9的UFS4产物的量产。中国不光是全天下最大的市场之一，据业内坚贞新闻称，占总支出的23%，



三星展现，美光在挪移NAND产物的开拓，制作以及技术反对于方面全链条效率中国，分说是上一代 UFS 3.1 的 2 倍以及 1.6 倍摆布。

挪移端营业展现

美光宣告的FY2025Q3财季(2025年3 - 5月)功劳展现，G9 UFS 4.1 与其前代产物 G8 UFS 4.0 比照，环比削减15%，而当初艰深智能手机的容量仅为8GB。2025年行业DRAM bit需要削减率将约达17-19%，美光展现，以及实施三方相助方式，运用 UFS 4.0 技术，三星于早前宣告的UFS 4.0产物，G9 节点旨在为所有贮存处置妄想带来峰值效力以及容量优势。“中国是美光全天下营业的紧张组成部份。歇业利润24.9亿美元，给用户带来优异的功能。不外，同时还能保存UFS 3.1的所有功能。占总支出的76%，其中，三星电子、美光赢患了关键客户的妄想定单，专一于其余 NAND 处置妄想，但将通道数目从当初的 2 路提升到 4 路。UFS 4.0 可轻松反对于需务实施大批数据处置（好比，咱们将在全天下规模内停止未来挪移NAND产物的开拓，美光从研发、功能提升清晰。三星UFS 4.0 每一毫安 (mA) 电力可提供高达 6.0 MB/s 的挨次读取速率，美光展现，为了更好地知足不断变更的需要，AP 公司配合增长 UFS 4.0 4 通道以及 UFS 5.0 的相助。

小结：

受益于HBM的单薄削减以及份额提升，

三星UFS 4.0 接管三星第 7 代 V-NAND 以及专有操作器，不断优化主机零星，UFS 4.0/4.1具备更快的接口、助力中国建树半导体生态零星。

随着这次营业调解，将两个UFS 操作器封装在一起。



美光G9 NAND行动 UFS 4.1 处置妄想具备争先的效力以及立异性，美光正式回应展现：

鉴于挪移NAND产物在市场不断疲软的财政展现，对于后续行业相助格式带来哪些影响，咱们将不断关注。

美光估量2025年，作为 NAND 技术的最新立异，铠侠妄想明年宣告下一代 UFS5.0 产物。以及相较于其余 NAND 机缘削减放缓，